Senis磁場傳感器F3B
- 品 牌：Senis
- 型 號：F3B
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技術資料：
Senis磁場傳感器F3B.pdf
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產品介紹
F3B 代表 SENIS 系列磁場-電壓轉換器，該系列產品配備了完全集成的三軸霍爾探頭。
所采用的霍爾探頭內置CMOS集成電路，其中包含三組相互正交的霍爾元件、偏置電路、放大器以及溫度傳感器。
集成式霍爾元件占用面積極小（0.15 × 0.15 mm²），從而為探頭提供了更高的空間分辨率。
性能特點
全集成CMOS三軸霍爾探頭（Bx、By、Bz），可使用其中一個、兩個或三個通道。
很高的空間分辨率：By：0.03 × 0.005 × 0.03 毫米³；Bx 和 Bz：0.15 × 0.01 × 0.15 毫米³
高角度精度：探頭三個測量軸之間的正交誤差小于1°，通過應用經過顯著優化的測量算法，其測定精度優于0.1°。
高頻帶寬（-3 dB）：max直流至25 kHz。
極低的平面霍爾電壓
探頭內置溫度傳感器，用于溫度補償。
探頭上的感應環路可忽略不計，等等。
技術參數
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產地 |
瑞士 |
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直流測量精度 @B< ±BLR |
高< 0.1 % < 0.5 % |
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低< 1 % |
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在直流場中以滿量程的百分比進行測量。 |
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輸出電壓 |
差分（±10 V @ ±BFS） |
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靈敏度公差 (Serr) @B < ±BLR |
高< 0.03 % < 0.2 % |
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低< 0.3 % < 0.5 % |
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非線性（NL）@ B < ±BLR |
高< 0.05 % < 0.2 % |
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低< 0.2 % < 0.5 % |
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平面霍爾電壓 (Vplanar) @ B < ±BLR |
< Vnormal 的 0.01 % |
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靈敏度的溫度系數 |
< ±100 ppm/°C (0.01 %/°C)（@ 溫度范圍 |
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靈敏度的長期穩定性 |
10年內 < 1 % |
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偏移量（@ B = 0 T） |
< ±0.1 mT < ±0.3 mT < ±0.6 mT < ±2 mT（@ 溫度范圍：(25 ± 10) °C） |
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偏移溫度系數 |
< ±0.002 mT/°C < ±0.005 mT/°C < ±0.05 mT/°C < ±0.4 mT/°C |
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輸出噪聲 |
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1/f 噪聲譜密度 @ f = 1 Hz |
< 1 µT/Hz¹/² < 2 µT/Hz¹/² < 7 µT/Hz¹/² < 40 µT/Hz¹/² （1/f 噪聲區域） |
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截止頻率 (fC) |
~10 Hz （此時 1/f 噪聲 = 白噪聲） |
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噪聲譜密度 @ f > fC |
0.7 µT/Hz¹/² 0.8 µT/Hz¹/² 2 - 3 µT/Hz¹/² 16 µT/Hz¹/² （白噪聲區域） |
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輸出阻抗 |
< 1 kΩ，短路保護 |
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直流功耗 |
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電壓 |
24 V（標稱值），±2 % |
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max紋波 |
100 mVpp |
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電流 |
≈ 0.12 A |
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工作溫度 |
(+5, +45) °C |
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存儲溫度 |
(-20, +85) °C |
產品應用
永磁體的特性分析與質量控制。
磁體系統的開發。
真實的3D磁場成像。
磁體系統（發電機、電動機等）的質量控制與監測。
在實驗室和生產線等場景中的應用。
津公網安備12010102000945號
